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NCE40ND0812S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE40ND0812S

2个N沟道 耐压:40V

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描述
NCE40ND0812S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE40ND0812S
商品编号
C502820
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.167克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)8A;12A
导通电阻(RDS(on))15.8mΩ@10V;11.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.5V;1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22.9nC@10V;38.2nC@10V
输入电容(Ciss)964pF;1.78nF
反向传输电容(Crss)96pF;160pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)109pF;209pF

商品概述

NCE40ND0812S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 8A
  • 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 12A
  • 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
  • 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
  • 栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
  • 栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF