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NCE60NP2012K实物图
  • NCE60NP2012K商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60NP2012K

NCE60NP2012K

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商品型号
NCE60NP2012K
商品编号
C502814
商品封装
TO-252-4L​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A;12A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V,12A
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V;1.2V
栅极电荷量(Qg)25nC@30V;37.6nC@30V
输入电容(Ciss)900pF@30V;1.6307nF@30V
反向传输电容(Crss)25pF;77.3pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE6990D采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的漏源导通电阻(R_DS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 69V,漏极电流(ID) = 90A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 7.2 mΩ(典型值:6.2 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高雪崩能量(E_AS),稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF