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NCE60NP2012K
NCE60NP2012K
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60NP2012K
- 商品编号
- C502814
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@30V；37.6nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF；1.6307nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF；77.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE6990D采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- VDS = 60V,ID = 20A
- 在 VGS = 10V 时,RDS(ON) < 35 m Ω
- 在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) < 40 m Ω
- P沟道
- VDS = -60V,ID = -12A
- 在 VGS = -10V 时,RDS(ON) < 100 m Ω
- 在 VGS = -4.5V 时,RDS(ON) < 125 m Ω
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 优秀的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- H桥
- 逆变器