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NCE30P28Q
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- NCE30P28Q采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于电源管理。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30P28Q
- 商品编号
- C502815
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
NCE3008M采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 30V，漏极电流（ID）= 8A
- 栅源电压（VGS）= 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 22.5 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 32 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- DC/DC转换器