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NCE60P12AS
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P12AS
- 商品编号
- C502807
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.604nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE60P12AS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 14 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器