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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE55P30

1个P沟道 耐压:55V 电流:30A

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商品型号
NCE55P30
商品编号
C502810
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.6V
栅极电荷量(Qg)56nC@44V
输入电容(Ciss)3.5nF@30V
反向传输电容(Crss)153pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE55P30采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -55V,ID = -30A
  • 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 40mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

  • 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF