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NCE01H11
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0125AI采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 25A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 36 mΩ（典型值：31 mΩ）
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能良好的优质封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源