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NCE40P40L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.96nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0130KA采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 30A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 32 mΩ（典型值：25 mΩ）
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完整
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的优良封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源