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NCE60ND09AS
1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
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- 描述
- NCE60ND09AS采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60ND09AS
- 商品编号
- C502800
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。 IRF6665PbF器件采用DirectFET™封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFET™封装技术具有更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少快速电流瞬变时伴随的电压振铃来改善EMI性能。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET™封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET™封装还支持双面散热，以最大限度地提高电源系统中的热传递，改善热阻和功率耗散。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
-最新的MOSFET硅技术-针对D类音频放大器应用优化关键参数-低导通电阻(RDS(ON)),提高效率-低栅极电荷(Qg),改善THD并提高效率-低反向恢复电荷(Qrr),改善THD并降低EMI-低封装杂散电感,减少振铃并降低EMI-无需散热片,每通道可向8欧姆负载提供高达100W的功率-支持双面散热-与现有的表面贴装技术兼容-符合RoHS标准,不含铅或溴化物-无铅(可承受高达260°C的回流焊)