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NCE0125AI
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0125AI
- 商品编号
- C502803
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70.4nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE8804采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。它具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 8 A
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 19 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
- ESD等级：2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-单向负载开关-双向负载开关