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NCE0140K2
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- NCE0140K2采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0140K2
- 商品编号
- C502801
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0140K2采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ（典型值：14.5 mΩ）
- 具备高静电放电（ESD）能力的特殊工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源