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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0224

1个N沟道 耐压:200V 电流:24A

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描述
采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于多种应用。
商品型号
NCE0224
商品编号
C502789
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))64mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.2V
栅极电荷量(Qg)91.9nC@10V
输入电容(Ciss)4.5658nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE1550采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 24A
  • RDS(ON) < 80 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:64mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF