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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0224AK

1个N沟道 耐压:200V 电流:24A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品型号
NCE0224AK
商品编号
C502791
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)4.2nF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE30H11BK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 24A
  • RDS(ON) < 80 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:62mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 优秀的封装,散热性能良好
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF