NCE0140IA
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0140IA采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 40A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 17 mΩ（典型值：12 mΩ）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 18 mΩ（典型值：13 mΩ）
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源