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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE1570

1个N沟道 耐压:150V 电流:70A

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描述
NCE1570采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE1570
商品编号
C502790
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.71克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)310W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)148.4nC@10V
输入电容(Ciss)6.644nF@75V
反向传输电容(Crss)178pF@75V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

NCE82H110采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 82V,漏极电流(ID) = 110A
  • 在栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 7毫欧(mΩ)(典型值:5.9mΩ)
  • 拥有高ESD能力的特殊工艺技术
  • 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的出色封装

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF