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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0240

1个N沟道 耐压:200V 电流:40A

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描述
NCE0240采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。漏源电压VDS = 200V,漏极电流ID = 40A
商品型号
NCE0240
商品编号
C502780
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))41mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)220W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)163nC
输入电容(Ciss)6.5nF@25V
反向传输电容(Crss)220pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE0240采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 200V,漏极电流ID = 40A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 41 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性全面
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF