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NCE80H12D
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷的出色导通电阻。可用于各种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE80H12D
- 商品编号
- C502782
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性相结合，使这款半桥成为适用于D类音频放大器应用的高效、坚固且可靠的器件。
商品特性
-集成半桥封装-减少一半的元件数量-便于更好的PCB布局-针对D类音频放大器应用优化关键参数-低漏源导通电阻 (RDS(ON)),提高效率-低栅极电荷 (Qg) 和开关电荷 (Qsw),改善THD并提高效率-低反向恢复电荷 (Qrr),改善THD并降低EMI-在半桥配置放大器中,每通道可向4欧姆负载提供高达150W的功率-无铅封装