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NCE30H12实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30H12

1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

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描述
采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品型号
NCE30H12
商品编号
C502785
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.714克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)120W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)48nC
输入电容(Ciss)3.55nF@25V
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE30H12采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 120A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 3.5 mΩ(典型值:3.0 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF