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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE1216

NCE1216

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
NCE1216
商品编号
C502781
商品封装
DFNWB-6-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)18W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))400mV
栅极电荷量(Qg)48nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.7nF
反向传输电容(Crss)590pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE1216采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻[RDS(ON)]、低栅极电荷,并能在不同栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用及其他多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -12V,漏极电流(ID) = -16A
  • 当栅源电压(VGS) = -2.5V时,导通电阻[RDS(ON)] < 22mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻[RDS(ON)] < 18mΩ
  • 先进的沟槽MOSFET工艺技术
  • 超低导通电阻与低栅极电荷

应用领域

  • 脉冲宽度调制(PWM)应用
  • 负载开关
  • 手机电池充电

数据手册PDF