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NCE0110AK实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0110AK

1个N沟道 耐压:100V 电流:10A

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描述
NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE0110AK
商品编号
C502779
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)21.5nC@50V
输入电容(Ciss)980pF@50V
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE02H10T采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于各种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200V,漏极电流(ID) = 100A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 18 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF