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NCE30H11BK
1个N沟道 耐压:30V 电流:110A
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- 描述
- NCE30H11BK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30H11BK
- 商品编号
- C502765
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.3nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.009nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 403pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE82H140采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 82V，漏极电流（ID） = 140A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5.2 mΩ（典型值：4.3 mΩ）
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装，散热性能良好
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源