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NCE30H11K
1个N沟道 耐压:30V 电流:110A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30H11K
- 商品编号
- C502771
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.987nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 368pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE30H11K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 110A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 3.6 mΩ（典型值：3.2 mΩ）
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 5.0 mΩ（典型值：4.0 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 完整表征雪崩电压和电流
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电ESD能力
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源