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NCE3095K

1个N沟道 耐压:30V 电流:95A

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描述
采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻,且栅极电荷较低,可用于多种应用。
商品型号
NCE3095K
商品编号
C502776
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.512克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))5.1mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)95W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)38.4nC@15V
输入电容(Ciss)1.784nF@15V
反向传输电容(Crss)212pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE0202ZA采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于各种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200V,漏极电流(ID) = 2A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 580 mΩ(典型值:520 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF