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NCE2030
1个N沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷的出色导通电阻，可用于各种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE2030
- 商品编号
- C502772
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.544nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 20V, ID = 30A
- R D S (O N) < 12mΩ @ V G S = 10V \quad (典型值:10.5mΩ)
- R D S (O N) < 13mΩ @ V G S = 4.5V \quad (典型值:11mΩ)
- R D S (O N) < 18mΩ @ V G S = 2.5V \quad (典型值:14mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电能力
应用领域
- 电源开关应用
- 负载开关
- 不间断电源