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NCE8804
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE0260采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 200V，漏极电流（ID） = 60A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 32 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用利于散热的优秀封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源