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NCE1550
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE3095K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 95A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 5.1 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 8.5 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源