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NCE3025G实物图
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NCE3025G

NCE3025G

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商品型号
NCE3025G
商品编号
C502766
商品封装
DFN-8(5.1x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)33V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32.6nC
输入电容(Ciss)1.5939nF
反向传输电容(Crss)176.8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)192.3pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

NCE3025G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 25A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 10 mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 14 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
  • 散热性能优良的封装
  • 具备高静电放电能力的特殊工艺技术

应用领域

  • 开关电源和通用应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF