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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE82H140

1个N沟道 耐压:82V 电流:140A

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描述
NCE82H140采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。
商品型号
NCE82H140
商品编号
C502764
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)82V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))5.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)220W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)158nC
输入电容(Ciss)7.9nF
反向传输电容(Crss)384pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE0275采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于汽车应用及其他多种应用。

商品特性

  • VDS = 82V,ID = 140A
  • RDS(ON) < 5.2 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为 4.3 m Ω)
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
  • 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 采用出色的封装,散热性能良好

应用领域

-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF