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NCE82H110D
1个N沟道 耐压:82V 电流:110A
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- 描述
- NCE82H110D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE82H110D
- 商品编号
- C502763
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 318pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE82H110D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 82V，ID = 110A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 7 mΩ（典型值：5.9mΩ）
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 用于超低Rdson的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源