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SIR1309DP-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受高达70A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至6mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类中高功率电源管理系统、直流电机控制、负载开关电路以及电池供电设备中的功率切换应用。其封装形式便于安装与散热，能够满足多种高性能电子设备的设计需求。
- 商品型号
- SIR1309DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C48996504
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
SIR1309DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -70A
- RDS(ON) < 8.8mΩ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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