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DMPH3010LPS-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和70A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为6mΩ，可有效减少功率损耗并提升整体效率。器件基于成熟稳定的半导体工艺制造，具备良好的开关性能与热稳定性，适用于各类中高功率电源管理、电机驱动、储能系统及便携式电器中的电能控制与切换应用。其结构设计兼顾可靠性和实用性，便于集成于多种电子设备中。
- 商品型号
- DMPH3010LPS-13-HXY
- 商品编号
- C48996505
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V；6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
DMN2005UPS-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 60A
- RDS(ON) < 5mΩ，VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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