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HDMG3406L13
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有5.8A的最大排水电流（ID），并能承受高达30V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）下提供稳定的性能表现。适用于消费电子产品中的电源管理模块，如电池保护电路、便携设备中的负载开关及DC/DC转换器，能够帮助优化电路效率并减少能量损耗。其紧凑的设计和良好的热性能使其成为便携式及空间受限应用中的理想选择。
- 商品型号
- HDMG3406L13
- 商品编号
- C42401228
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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