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HIPD50N06S4L12ATMA2
N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下能有效降低功耗。该MOSFET适用于需要高效能与可靠性的电子设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关以及适配器中的开关应用等。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电路的理想选择。
- 商品型号
- HIPD50N06S4L12ATMA2
- 商品编号
- C42401227
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HIPD50N06S4L12ATMA2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 50A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源