温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HHUF76429D3ST
耐压:60V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续排水电流（ID），并且能够在60V的漏源电压（VDSS）条件下正常工作。其导通电阻（RDSON）低至22毫欧，在20V的栅源电压（VGS）控制下展现出良好的导电性能。该MOSFET适用于多种消费电子产品的设计，如适配器、充电器等场合的高效电源管理，以及需要低损耗切换的应用，确保了电路在高频操作下的稳定性和效率。
- 商品型号
- HHUF76429D3ST
- 商品编号
- C42401226
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单