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HSTD30NF06LAG
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能，其最大连续漏极电流ID可达30A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON，确保了在高负载下的高效能运行。同时，它支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围，适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。
- 商品型号
- HSTD30NF06LAG
- 商品编号
- C42401225
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HSTD30NF06LAG采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源