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HSTD20NF06LAG
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大排水电流（ID），并在60V的漏源耐压（VDSS）下稳定运行。其低至27mΩ的导通电阻（RDSON）在20V的栅源电压（VGS）下提供了优异的电流处理能力。这些特性使得该MOSFET适用于消费电子产品中的高效直流转换器、便携式充电设备以及其他要求高效能、低能耗的电路设计中，确保了在日常使用环境下的可靠性能。
- 商品型号
- HSTD20NF06LAG
- 商品编号
- C42401224
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HSTD20NF06LAG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V ID = 20A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 32mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源