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HPMV30UN2
N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6A的连续排水电流（ID），最大承受漏源电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDSON）为22毫欧，并在栅源电压（VGS）为12V时正常工作。该MOSFET适用于需要高效率和快速开关特性的应用，如便携设备的电源管理单元或电子玩具中的信号放大与处理部分，能够在这些应用中实现低功耗及稳定的性能表现。其较低的导通电阻有助于减少能量损失，适合用于对功耗敏感的设计中。
- 商品型号
- HPMV30UN2
- 商品编号
- C42401207
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029293克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HPMV30UN2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6.0A
- RDS(ON) < 27mΩ(VGS = 4.5V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源