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HIRFZ48SPBF
N沟道 耐压:55V 电流:49A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具备49A的连续漏极电流（ID）承载能力，以及55V的最大漏源耐压（VDSS），适用于高功率密度的设计需求。其低至9毫欧的导通电阻（RDSON）有效降低了导通状态下的功耗，优化了电路效率。栅源电压（VGS）最高可达20V，提供了灵活的驱动条件。该MOSFET适合用于高性能要求的开关电源、DC/DC转换器以及其他对效率敏感的应用中，能够帮助实现更紧凑、高效的电子设计方案。
- 商品型号
- HIRFZ48SPBF
- 商品编号
- C42401221
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.262克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |