温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HIRFZ48SPBF
N沟道 耐压:55V 电流:49A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N沟道MOSFET具备49A的连续漏极电流（ID）承载能力，以及55V的最大漏源耐压（VDSS），适用于高功率密度的设计需求。其低至9毫欧的导通电阻（RDSON）有效降低了导通状态下的功耗，优化了电路效率。栅源电压（VGS）最高可达20V，提供了灵活的驱动条件。该MOSFET适合用于高性能要求的开关电源、DC/DC转换器以及其他对效率敏感的应用中，能够帮助实现更紧凑、高效的电子设计方案。
- 商品型号
- HIRFZ48SPBF
- 商品编号
- C42401221
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.262克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HIRFZ48SPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 55V,ID = 49A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理