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HSTF6N65K3
耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET拥有7A的连续漏极电流（ID）能力，以及高达650V的最大漏源电压（VDSS），适用于高压应用环境。其导通电阻（RDSON）为1200毫欧，在高压条件下仍能保持较低的能耗。栅源电压（VGS）最大支持30V，确保了在多种控制信号下的可靠工作。此元件特别适用于需要高压保护及精确电流控制的场合，如便携式设备充电管理、电池保护电路等，为设计者提供了一个高压环境下稳健工作的解决方案。
- 商品型号
- HSTF6N65K3
- 商品编号
- C42401222
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSTF6N65K3可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 7 A
- RDS(ON) < 1.4 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。