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HAOD538
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下性能特点：最大漏极电流ID可达150A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至2mΩ，栅源电压VGS为20V。该器件具备大电流承载能力和极低的导通损耗，适用于高效率功率转换和开关应用。可广泛用于电源管理模块、电池供电系统、消费类电子设备及通信产品中的高电流开关控制电路，提供稳定可靠的功率支持，是一款高性能的基础功率半导体器件。
- 商品型号
- HAOD538
- 商品编号
- C42401209
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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