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HAO3435
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有3A的连续排水电流（ID/A），额定工作电压（VDSS/V）为20V，导通电阻（RDSON/mR）为60毫欧姆，并支持最高12V的栅源电压（VGS/V）。该MOSFET适用于要求精密控制和低功耗的应用，如电子玩具中的电源路径管理、家用电器内的信号电平转换或是在个人电子产品中作为逻辑电平开关使用，确保了电路设计中的灵活性与效率。
- 商品型号
- HAO3435
- 商品编号
- C42401218
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：10 个3000个/圆盘
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