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HNX138BKWX
耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的最大漏源电压（VDSS），可在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在额定电流（ID/A）为0.1A时，适合用于需要精细电流控制的应用中。该MOSFET适用于电子爱好者或研发实验室中的原型制作，特别是在那些需要高电压而电流负载较小的场合，如家用电器的微控制器输出驱动或LED驱动电路。其高耐压特性结合较低的功耗，保证了在各种精密控制应用中的可靠性。
- 商品型号
- HNX138BKWX
- 商品编号
- C42401220
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
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