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HSi2308DS
耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET支持3A的连续漏极电流，能够承受最高达60V的漏源电压。其导通电阻为72毫欧姆，保证了良好的电流传输效率。栅源电压范围为20V，适用于多种电子设备中的开关控制、电源管理和保护电路等应用场合。该MOSFET以其紧凑的设计和可靠的性能，成为消费电子产品及日常家用电器设计中的优选元件。
- 商品型号
- HSi2308DS
- 商品编号
- C42401219
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSi2308DS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 3A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源