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HSTF7N65M2
N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有7A的连续排水电流（ID/A），最大工作电压（VDSS/V）为650V，导通电阻（RDSON/mR）为1200毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）可达30V的情况下，保证了良好的开关性能。此元件适用于需要高压处理的应用场合，如电源管理、便携式设备的电池保护以及消费类电子产品中的开关模式电源转换器。其高可靠性和稳定性使它成为设计中不可或缺的一部分。
- 商品型号
- HSTF7N65M2
- 商品编号
- C42401215
- 商品封装
- TO-220F(TO-220FP)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.40303克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.13nF |
商品概述
HSTF7N65M2可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 7 A
- RDS(ON) < 1.4 Ω@ VGS = 10 V
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。