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HIPD50N06S4L08ATMA2
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80安培的最大连续漏极电流和60伏特的漏源击穿电压，适用于需要高电流承载能力和良好耐压性能的电路设计。其导通电阻仅为6毫欧，有效减少了工作时的热量产生，提高了能量转换效率。结合20伏特的栅极阈值电压，确保了优秀的开关特性，适用于高频开关电源、电池管理系统以及各类电子设备中的精密控制。该MOSFET凭借其出色的性能，成为实现高效、紧凑电路设计的理想选择。
- 商品型号
- HIPD50N06S4L08ATMA2
- 商品编号
- C42401216
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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