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HSi2323DS
耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备5A的连续漏极电流承载能力，支持最高20V的漏源电压。其导通电阻低至35毫欧姆，有效减少了能量损耗并提高了效率。栅源电压阈值为12V，适合应用于消费电子设备中的电源开关、负载控制及信号处理等场合。凭借优异的电气性能和可靠的稳定性，该产品成为各类小型至中型电子项目设计的理想组件。
- 商品型号
- HSi2323DS
- 商品编号
- C42401217
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
HSi2323DS采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 20V,漏极电流ID = - 5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理