温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HNTMFS4C08NT1G
N沟道 耐压:30V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有150安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源击穿电压，适合应用于需要高效能和高可靠性的电路中。其极低的导通电阻仅为3毫欧，显著降低了功率损耗，提升了系统的整体效率。配合20伏特的栅极阈值电压，确保了快速而精确的开关控制能力。该MOSFET适用于各种电源转换、信号处理等应用场景，能够满足复杂电子系统对元件性能的严格要求。
- 商品型号
- HNTMFS4C08NT1G
- 商品编号
- C42401212
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单