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HSiSH101DN
P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率电源管理系统。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大支持20V，确保稳定控制性能。该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中，提供可靠且高效的功率控制解决方案。
- 商品型号
- HSiSH101DN
- 商品编号
- C42401213
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
HSiSH101DN采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -70A
- RDS(ON) < 9.3mΩ @ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- DFN3X3-8L
- P沟道MOSFET