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HNP36P04SDG

P沟道 耐压:40V 电流:40A

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描述
该P沟道场效应管具有50A的连续漏极电流
商品型号
HNP36P04SDG
商品编号
C42401211
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.386869克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))13.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)40.3W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.525nF
反向传输电容(Crss)172pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)190pF

数据手册PDF