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H2SJ598
P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 此款P沟道场效应管（MOSFET）具有良好的电气性能，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流可达10A，能够满足较高功率需求的应用；最大漏源电压为60V，确保在较宽的电压范围内稳定工作；导通电阻为125mΩ，有助于控制功耗并提高效率；栅源电压范围达到20V，提供广泛的驱动兼容性。这款MOSFET适合用于电源管理、开关电路以及需要可靠性和效率的消费电子产品中。
- 商品型号
- H2SJ598
- 商品编号
- C42401210
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38617克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |