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HTK11S10N1L
N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大连续漏极电流和100伏特的漏源击穿电压，确保了其在高功率应用中的稳定性能。其导通电阻仅为35毫欧，在大电流通过时能够保持较低的发热水平，提高了效率和可靠性。该MOSFET的栅极阈值电压为20伏特，适用于需要快速开关响应的应用场合。此元件广泛适用于电源管理、信号放大及各类电子设备中，是设计高性能电路的理想选择。
- 商品型号
- HTK11S10N1L
- 商品编号
- C42401208
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.40404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HTK11S10N1L采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 30A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源